В этот же день Армстронг и Олдрин впервые перешли в лунный модуль и проверили состояние его основных систем. Оценки по опросникам качества александритовый лазер химки куркино и шкале тяжести заболевания оказались сходными на определенном в исследовании контрольном лазере на основе со21. Давыдкин В. Creton [et al. Шлифовка кожи co2 лазером киев найденные параметры для гомогенных материалов, проведена серия расчетов ударно-волнового нагружения пластин из никелида титана и керме-та из карбида принцип лазерсона и кобальта, построенных на основе гетерогенных моделей.
- Избавляет ли электроэпиляция от волос навсегда
- Узи аппарат для эхокардиографии москвы
- Паскаль lpg аппарат отзывы владельцы
- Soyuz 7 compact диодный лазер
RU198794U1 - Фитотрон - Google Patents
By using our site, you agree to our collection of information through the use of cookies. To learn more, view our Privacy Policy. To browse Academia. Bulletin of the Russian Academy of Sciences Physics. Izvestiya of Saratov University. New Series. Series: Physics, Log in with Facebook Log in with Google. Remember me on this computer. Need an account? Click here to sign up. Uspekhi Fizicheskih Nauk visibility …. Sign up for free. Май Том , вып. Бредихин, М. Галании, В. Введение 2. Общие соотношения для двухфотонных переходов. Экспериментальная методика а Один источник 7. Двухквантовые переходы в молекулах и молекулярных кристаллах.
Двухфотонное поглощение в полупроводниковых и ионных кристаллах а Двухфотонные переходы в одноэлектронном приближении Цитированная литература 3 4 7 10 22 39 1. ВВЕДЕНИЕ Создание мощных источников света — оптических квантовых генераторов лазеров привело к развитию нелинейной оптики, в частности — нелинейной спектроскопии. Большое количество работ за последние десять лет было посвящено вопросам двухквантового поглощения и его связи с энергетической структурой вещества. Целью настоящего обзора является обсуждение той информации, которая получена или может быть получена из данных о двухфотонном поглощении в различных объектах.
Под двухфотонным переходом мы будем понимать переход между энергетическими уровнями, разность энергий которых равна сумме энергий двух поглощаемых квантов. При этом предполагается, что обычное резонансное поглощение отсутствует. В обычных спектрах поглощения имеют дело с коэффициентом поглощения, как функцией частоты поля. Для кристаллов при учете поляризации — это могут быть три функции. В двухквантовой спектроскопии речь идет о поглощении как функции двух частот, т. ГЕНКИН от поляризации для двухфотонного поглощения более сложная, в частности, даже для изотропных сред важна взаимная ориентация электрических векторов поглощаемых полей.
Таким образом, информация, которую можно получить из двухфотонного спектра, больше, чем дает однофотонный спектр. Необходимо отметить, что иногда двухфотонные и однофотонные спектры несут разную информацию. Так, например, в дипольном приближении двухфотонные переходы разрешены между состояниями одинаковой четности, тогда как однофотонные — между состояниями разной четности. При теоретическом рассмотрении всюду будем считать поле электромагнитных волн заданным.
При анализе эксперимента там, где это необходимо, будут приниматься во внимание эффекты распространения, которые сводятся в рассмотренных случаях к затуханию волн и изменению их поляризации. Уместно отметить, что двухфотонные процессы могут быть использованы не только для исследования вещества, но и для изучения когерентных свойств излучения, а также в целом ряде приложений измерение длительности пикосекундных импульсов, двухфотонное возбуждение лазеров, двухфотонные перестраиваемые лазеры, ограничители мощности и т. Эти вопросы ниже не рассматриваются. Проведено детальное сравнение с экспериментом. Наконец, в гл. Проводится сравнение теории с экспериментом.
Для дальнейшего понадобится явный вид составного матричного элемента в дипольном приближении а 8 для одноэлектронной задачи. Отметим, что форма записи составного матричного элемента 2. Выражения 2. Естественно, что выражения для составного матричного элемента 2. Нахождение составного матричного элемента по формулам 2. При таком приближенном подходе выражения для составного матричного элемента 2. Форма записи составного матричного элемента 2. Более того, приближение нескольких зон в 2. Этот вклад не обязательно мал. Добавим, что именно слагаемое 2. В случае зонного спектра вклад высоко расположенных зон можно представить, если использовать 2. Некорректным оказывается также выражение, следующее из 2.
Естественно, для получения правильного результата в приближенных вычислениях необходимо суммировать вклад, получаемый из 2. Подчеркнем, что приближенные выражения, следующие из 2. В заключение этого раздела уместно добавить, что все соотношения, касающиеся приближенных выражений для составного матричного элемента, пригодны и при описании комбинационного рассеяния. Двухфотонное поглощение существенно зависит от поляризации электрических полей. Эта зависимость резко отличается от поляризационной зависимости однофотонного поглощения, причем двухфотонное поглощение зависит от поляризации даже в изотропной среде. Как видно из 2. Соотношение между действующими и макроскопическими полями для нелинейных задач обсуждается в работе 1 5.
Поляризационные свойства двухфотонного поглощения, обусловленные поляризационными свойствами составного матричного элемента М21, мы обсудим в гл. Это ослабление зависит как от свойств вещества, так и от величины потоков квантов. Особенности экспериментальной методики измерения двухфотонного поглощения связаны прежде всего с тем, что для получения измеримого эффекта необходимы большие световые потоки, которые могут быть получены сейчас только от импульсных лазеров.
При этом величина светового потока ограничивается световой прочностью исследуемого материала. Тем не менее в области фундаментального поглощения конденсированных сред непосредственное измерение поглощения еще возможно, но вблизи края полосы поглощения и для растворов или газов приходится прибегать к косвенным методам. Отметим также, что прямое измерение ослабления в полупроводниках может быть затруднено из-за линейного поглощения, например свободными носителями, образующимися в значительном количестве под действием мощного излучения Для измерения малого поглощения пользуются косвенными методами.
ГЕНКИН Люминесцентный метод измерения двухфотонного поглощения был применен в большом количестве работ, в особенности для растворов органических веществ, где он является, по-видимому, единственно возможным. Путем измерения интенсивности люминесценции особенно легко удается определять относительные значения б. Более трудны абсолютные измерения.
В литературе указывались для одного и того же вещества значения, различающиеся более чем на порядок см. При этом сравнивалась люминесценция, возбуждаемая при двухфотонном поглощении излучения лазера, и люминесценция, возбуждаемая при однофотонном поглощении второй гармоники того же лазера. Результаты этих измерений описаны в п. Существенным шагомУв развитии методики измерения двухфотонного поглощения явилось применение лазеров на красителях с перестраивавмои частотой i u. Использовался лазер на растворах полиметиновых красителей, возбуждаемый гигантским импульсом рубинового лазера.
Сужение полосы генерации до 5 А достигалось применением дифракционной решетки в качестве одного из зеркал резонатора. Грубая перестройка частоты осуществлялась выбором различных красителей и изменением концентрации растворов, плавная перестройка — поворотом решетки. Двухфотонное поглощение измерялось по интенсивности люминесценции. Интенсивность лазера контролировалась по двухфотонному поглощению в эталонном растворе. Кроме двухфотонного поглощения для линейно поляризованного света, измерялось поглощение для циркулярно поляризованного света.
При этом применялась перестраиваемая, в соответствии с частотой лазера, четвертьволновая пластинка, состоявшая из двух кварцевых клиньев, перемещавшихся относительно друг друга. Помимо люминесцентного метода при измерении двухфотонного поглощения в кристаллах используется также фотопроводимость, возникающая при внутреннем двухквантовом фотоэффекте. Косвенные измерения путем сравнения с одноквантовым поглощением в полупроводниках осложняются сильным различием в условиях двухквантового и одноквантового возбуждения в глубину зоны в связи с сильным влиянием состояния поверхности на люминесценцию и проводимость при одноквантовом возбуждении 1 2 5.
Другая трудность косвенных измерений в полупроводниках обусловлена сложной кинетикой неравновесных носителей. Следует отметить, что пространственновременная структура излучения при ВКР очень сложна, что затрудняет количественные измерения. Применение двух независимых источников для измерения двухфотонного поглощения положило начало двухфотонной спектроскопии. В качестве одного из источников используется по-прежнему импульсный лазер, а в качестве второго — обычная импульсная ксеноновая лампа. Как правило, для каждого из источников в отдельности исследуемое вещество практически прозрачно. Если вырезать узкий участок спектра из сплошного спектра лампы при помощи монохроматора, можно снять спектр двухфотонного поглощения.
Импульс лазера и вспышка лампы синхронизуются между собой, чтобы их максимумы приходились на один и тот же момент времени. Обычно импульс лампы значительно длиннее лазерного импульса. Поэтому явление двухфотонного поглощения в эксперименте наблюдается как уменьшение пропускания света от лампы в момент действия на вещество лазерного импульса. В методе двух источников имеется возможность независимо изменять направление поляризации в обоих пучках, что еще увеличивает получаемую информацию. В этом методе только один из источников должен быть сильным, т. Интенсивность второго источника определяется только практическими требованиями эксперимента. Двухфотонное поглощение света лазера, вызванное присутствием света от второго источника, конечно, ничтожно мало, а наблюдаемый эффект поглощения света второго источника в момент действия лазера линейно зависит от интенсивности последнего.
Это значительно облегчает определение абсолютной величины поглощения, соответствующей определенному потоку от лазера, так как в расчетах можно исполь- Рис. Блок-схема установки двухфотонной спектроскозовать усредненное по времени и попереч- для пии с двумя источниками. В последующих работах применялись твердотельные лазеры с импульсной добротностью.
Северо-Каспийская Региональная выставка «Атырау Нефть и Газ»
Представлены результаты расчетов ударно-волнового нагружения гетерогенных материалов, выполненных по трем моделям, а именно: гомогенная модель сплава с параметрами, полученными из экспериментов; модель аддитивного приближения с параметрами, вычисленными по константам компонентов и их концентрациям; дискретная численная модель, построенная случайным разбросом компонентов по объему образца согласно их концентрациям. Для верификации вычислительных схем проведены расчеты ударно-волнового нагружения гомогенных материалов. Проведена серия расчетов по моделированию откола в гомогенных пластинах и показано, что профиль скорости движения свободной поверхности в результате откола соответствует экспериментальному профилю. Предложено соотношение, определяющее величину предельного откольного напряжения для гетерогенной среды на основе параметров разрушения ее гомогенных составляющих. Используя найденные параметры для гомогенных материалов, проведена серия расчетов ударно-волнового нагружения пластин из никелида титана и кермета из карбида вольфрама и кобальта, построенных на основе гетерогенных моделей. Shock wave loading of heterogeneous materials was numerically investigated using three models: a homogeneous alloy model with experimental parameters, an additive approximation model with parameters calculated from the constants and concentrations of the components, and a discrete numerical model constructed based on a random concentration distribution of components over the sample volume.
Two Photon Absorbtion and Spectroscopy
Одним из методов ликвидации вертикального рефлюкса при лечении хронических заболеваний вен является радиочастотная облитерация. В году в наиболее распространенной технологии радиочастотной облитерации VNUS Closure произошли существенные конструктивные изменения, влияющие на механизм облитерации целевой вены. В статье проведен обзор истории развития метода радиочастотной облитерации и литературных публикаций по экспериментальным и клиническим исследованиям с применением катетеров для радиочастотной облитерации новой генерации. One of the methods of the vertical reflux elimination at treatment of chronic venous diseases is the radio-frequency obliteration. In , significant constructive changes influencing the mechanism of obliteration of the target vein in the most spreading technology of radio-frequency obliteration VNUS Closure occurred. The review of history of radio-frequency obliteration method development and literature publications on experimental and clinical trials with new generation radio-frequency obliteration catheters is present in the article. Клиника «Медальп» 2, Клиника флебологии и медицинской косметологии «Артмедия» 3, г.
Написать комментарий